买手机、挑显卡、选笔记本，经常看到厂商宣传“采用台积电4nm工艺”“三星3nm GAA”“Intel 7（其实是10nm Enhanced）”——这些数字到底啥意思？为啥5nm比7nm先进，但Intel的7nm还没量产，而台积电的3nm已经用在iPhone 15 Pro上了？
别被数字骗了：制程不是“越小越好”，而是“越准越难”
芯片制程工艺的数字（比如5nm、3nm），并不是晶体管栅极长度的精确物理尺寸，而是一个代际命名惯例。就像“iPhone 12”不等于它有12个摄像头一样，3nm ≠ 所有晶体管都刚好3纳米宽。它反映的是晶体管密度、功耗、性能的整体进步水平。
主流制程工艺对照速查表（2024年实测数据）
下面这张表，整理了近五年各厂实际量产节点的关键参数，来源包括TSMC公开技术文档、Samsung Foundry路线图、Intel Architecture Day资料及TechInsights拆解报告：
| 工艺节点 | 厂商 | 晶体管密度（MTr/mm²） | 典型功耗下降（vs 上代） | 首发产品/时间 | 备注 |
|----------|------------|------------------------|--------------------------|----------------------|--------------------------|
| 28nm | TSMC | 0.16 | — | 联发科MT6577（2012） | 成熟制程，IoT/电源管理主力 |
| 16nm/14nm | TSMC/Samsung | 3.5 / 3.9 | ~35% | Apple A9（2015） | FinFET技术首次商用 |
| 7nm | TSMC | 96.5 | ~40% | 华为麒麟980（2018） | EUV尚未启用 |
| 5nm | TSMC | 171.3 | ~30% | iPhone 12（2020） | 首代全面导入EUV光刻 |
| 4nm | TSMC | 195.4 | ~11%（相对5nm） | iPhone 13/骁龙8 Gen1（2021） | 5nm优化版，非全新节点 |
| 3nm（N3） | TSMC | 292.2 | ~25%（相对5nm） | iPhone 15 Pro（2023） | 引入FinFlex晶体管结构 |
| 3GAA | Samsung | 230.0 | ~20% | Exynos 2200（2022） | 全环绕栅极（GAA）首秀 |
| 2nm（N2） | TSMC | ~350（预估） | ~15%（相对3nm） | 预计2025下半年量产 | Gate-All-Around升级版 |
| 1.8nm（A16）| Intel | ~400（目标） | ~10%（相对2nm） | 预计2027年 | RibbonFET + PowerVia双堆叠表格怎么用？举个真实例子
你正在对比两款轻薄本CPU：一款标“Intel Core Ultra 7 155H（Intel 4工艺）”，另一款是“AMD Ryzen 7 7840U（TSMC 4nm）”。别急着抄计算器算nm差值——先翻上面的表：
Intel 4 ≈ TSMC 7nm（密度约115 MTr/mm²），而TSMC 4nm密度是195+。这意味着同功耗下，AMD那颗U能塞进更多计算单元；但Intel 4做了新封装和AI加速器优化，实际AI推理快不少。看表，再结合用途，比只盯一个数字靠谱得多。
小技巧：Excel里快速比对工艺参数
把上表复制进Excel后，加一列“工艺等效指数”：用晶体管密度 ÷ 100，再乘以（1 - 功耗下降比例），就能粗略量化“单位面积性能效率”。公式示例：
=B2/100*(1-C2)然后按这列排序，一眼看出谁真“挤得更紧、跑得更省”。
最后提醒一句：别迷信“最新工艺=最好芯片”。28nm产的电源管理IC，可能比某些3nm AI加速器还稳十年——芯片好不好，得看放在哪用，而不是单看nm数字多小。